Одно из применений нитрида алюминия в полупроводниковой промышленности — в качестве керамической подложки для упаковки.

Благодаря бурному развитию микроэлектроники и полупроводниковых технологий, двигатели и электронные компоненты постепенно вступили в эпоху миниатюризации, снижения веса, повышения плотности энергии и мощности. Плотность теплового потока в электронных подложках значительно возросла, и поддержание стабильной рабочей среды внутри оборудования стало ключевой технической проблемой, требующей особого внимания. Керамика AlN считается идеальным материалом для нового поколения теплоотводящих подложек и корпусов электронных устройств благодаря таким характеристикам, как высокая теплопроводность, коэффициент теплового расширения, близкий к коэффициенту кремния, высокая механическая прочность, хорошая химическая стабильность, экологичность и нетоксичность. Среди них особое место занимают области применения, ориентированные на Керамическая подложка из нитрида алюминия (AlN)особенно распространены. В качестве сырья используются высококачественные материалы. Порошок нитрида алюминияи опираясь на ключевое преимущество Высокая теплопроводность AlNТаким образом, он стал ключевым вспомогательным материалом для управления тепловыми процессами в полупроводниковых устройствах.

По сравнению с керамическими подложками из Al₂O₃ и Si₃N₄, Керамическая подложка из нитрида алюминия (AlN)имеет следующие преимущества: Использование Керамическая подложка из нитрида алюминия (AlN)Поскольку носитель чипа изолирует чип от теплоотводящей пластины модуля, слой керамики AlN в середине подложки эффективно улучшает теплоизоляционные свойства модуля.the выдерживаемое напряжение>2,5 кВ). Кроме того, Керамическая подложка из нитрида алюминия (AlN)Обладает хорошей теплопроводностью. Опираясь на характеристики Высокая теплопроводность AlNтеплопроводность может достигать 170–260 Вт/(м·К), которыйch перфИдеально отвечает основным требованиям Система терморегулирования на основе нитрида алюминияОн широко используется в упаковке Полупроводниковые компоненты на основе нитрида алюминия (AlN)особенно подходит для сценария применения Подложка из AlN для IGBTобеспечивая надежное рассеивание тепла и гарантию изоляции силовых полупроводниковых приборов.

Кроме того, благодаря коэффициенту теплового расширения ~4,2 × 10⁻⁶ K⁻¹, керамическая подложка из нитрида алюминия (AlN) по своим характеристикам близка к кремниевой (~4,0 × 10⁻⁶ K⁻¹), что позволяет избежать повреждения кристалла под воздействием внутренних напряжений во время термических циклов. Керамическая подложка из нитрида алюминия демонстрирует Прочность на отслаивание > 20 Н/см, превосходные механические свойства, коррозионная стойкость, размерная стабильность, и возможность работы в широком диапазоне температур. ТЭто еще раз подчеркивает преимущества Материалы AlN с высокой теплопроводностьюиспользуя преимущества премиальных характеристик Порошок нитрида алюминия обеспечить прочную основу для долговременной стабильной работы полупроводниковых компонентов на основе нитрида алюминия и способствовать непрерывному совершенствованию технологии терморегулирования на основе нитрида алюминия.

Компания Xiamen Juci производит продукцию. Керамические подложки из нитрида алюминия, порошок нитрида алюминияи сопутствующие товары. Пожалуйста, свяжитесь с нами, если у вас возникнут какие-либо вопросы.

Контакт:

Дженни Цинь / 진현혜

Телефон: +86 151-5177-8700

Идентификатор WeChat: JENNY-8866

Xiamen Juci Technology Co., Ltd.

Электронная почта: qinxianhui@chinajuci.com

Веб-сайт: www.jucialnglobal.com