Серия с высокой теплопроводностью – наполнитель из нитрида алюминия (AlN) толщиной 100 мкм

Компания Xiamen Juci Technology Co., Ltd. представляет серию поликристаллических материалов с высокой теплопроводностью толщиной 100 мкм. наполнитель из нитрида алюминия (AlN) порошок, высокочистый керамический наполнитель, разработанный для композитов с улучшенным тепловым управлением. Используя передовую технологию синтеза и классификации, этот продукт обеспечивает исключительную теплопроводность, превосходную химическую стабильность и оптимизированное распределение размеров частиц. Он значительно улучшает характеристики рассеивания тепла полимеров, адгезивов и керамических матриц, что делает его идеальным для применения в электронной упаковке, охлаждении светодиодов, устройствах связи 5G и высокомощных модулях.

Основные характеристики:

1. Сверхвысокая теплопроводность

Поликристаллический AlN имеет теоретическую теплопроводность 170–200 Вт/(м·К), что позволяет эффективно решать проблемы, связанные с высоким рассеиванием теплового потока в электронных компонентах.

Низкий коэффициент теплового расширения (≈4,6×10⁻⁶/K), соответствующий полупроводниковым материалам для минимизации межфазного напряжения.

2. Точный контроль размера частиц

D50 ≈ 100 мкм, с равномерным распределением частиц, оптимизирующим плотность упаковки для формирования эффективных тепловых путей.

Настраиваемая обработка поверхности (например, модификация силанового связующего агента) для улучшения совместимости со смолами и металлами.

3. Высокая чистота и надежность

Чистота ≥ 99%, содержание кислорода < 1%, что обеспечивает минимальное влияние на диэлектрические свойства.

Высокая термостойкость (>1800°C) и коррозионная стойкость, подходит для суровых условий.

4. Универсальные приложения

Термоклеи/пасты: Увеличивают теплопроводность при заполнении.

Композиты с керамической матрицей: используются для изготовления изоляционных подложек или упаковочных материалов с высокой теплопроводностью.

Материалы термического интерфейса (TIM): Снижает контактное тепловое сопротивление в электронных узлах.